Silicon Carbide SiC

Tuairisgeul

Wafer Silicon Carbide SiC, air a dhèanamh gu math cruaidh, air a thoirt a-mach gu synthetigeach le todhar criostalach de silicon agus gualain le modh MOCVD, agus taisbeanaidheana bheàrn còmhlan farsaing sònraichte agus feartan fàbharach eile de cho-èifeachd leudachaidh teirmeach ìosal, teòthachd obrachaidh nas àirde, sgaoileadh teas math, call suidse is gluasad nas ìsle, nas lùth-èifeachdaiche, giùlan teirmeach àrd agus neart briseadh raon dealain nas làidire, a bharrachd air sruthan nas dùmhail staid.Faodar Silicon Carbide SiC aig Western Minmetals (SC) Corporation a thoirt seachad ann am meud 2 ″ 3 ’4" agus 6 ″ (50mm, 75mm, 100mm, 150mm) trast-thomhas, le n-seòrsa, leth-insulation no wafer dummy airson gnìomhachas agus obair-lann application.Tha sònrachadh gnàthaichte sam bith airson am fuasgladh foirfe don luchd-ceannach againn air feadh an t-saoghail.

Iarrtasan

Tha wafer Silicon Carbide SiC de chàileachd àrd 4H / 6H foirfe airson a bhith a’ saothrachadh mòran innealan dealanach adhartach luath, àrd-teòthachd & bholtadh àrd leithid Schottky diodes & SBD, tionndadh àrd-chumhachd MOSFETs & JFETs, msaa. cuideachd na stuth ion-mhiannaichte ann an rannsachadh & leasachadh transistors bipolar geata inslithe agus thyristors.Mar stuth leth-ghiùlain ginealach ùr air leth, tha wafer Silicon Carbide SiC cuideachd na inneal-sgaoilidh teas èifeachdach ann an co-phàirtean LED àrd-chumhachd, no mar substrate seasmhach agus mòr-chòrdte airson còmhdach GaN a tha a’ fàs airson sgrùdadh saidheansail cuimsichte san àm ri teachd.

Fios a-nis

Mion-fhiosrachadh

Tagaichean

Sònrachadh Teicnigeach

Silicon Carbide SiC

Silicon Carbide SiCaig Western Minmetals (SC) Corporation faodar a thoirt seachad ann am meud 2 ″ 3 ’4“ agus 6 ″ (50mm, 75mm, 100mm, 150mm) trast-thomhas, le n-seòrsa, leth-insulation no wafer dummy airson cleachdadh gnìomhachais agus obair-lann .Tha sònrachadh gnàthaichte sam bith airson am fuasgladh foirfe don luchd-ceannach againn air feadh an t-saoghail.

Foirmle loidhneach	SiC
Cuideam Molecular	40.1
Structar criostail	Wurtzite
Coltas	Soladach
Rubha leaghaidh	3103±40K
Rubha Goil	Chan eil
Dùmhlachd aig 300K	3.21 g / cm³
Beàrn lùtha	(3.00-3.23) eV
Seasmhachd gnèitheach	> 1E5 Ω-cm
Àireamh CAS	409-21-2
Àireamh EC	206-991-8

Chan eil.	Nithean	Sònrachadh Coitcheann
1	Meud SiC	2"	3"	4"	6"
2	Trast-thomhas mm	50.8 0.38	76.2 0.38	100 0.5	150 0.5
3	Dòigh Fàs	MOCVD	MOCVD	MOCVD	MOCVD
4	Seòrsa giùlain	4H-N, 6H-N, 4H-SI, 6H-SI
5	Resistivity Ω-cm	0.015-0.028;0.02-0.1;>1E5
6	Treòrachadh	0 ° ± 0.5 °;4.0° a dh’ionnsaigh <1120>
7	Tighead μm	330±25	330±25	(350-500)±25	(350-500)±25
8	Prìomh àite flat	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°
9	Bun-sgoil Flat Fad mm	16±1.7	22.2±3.2	32.5±2	47.5±2.5
10	Suidheachadh Flat Àrd-sgoile	Aghaidh silicone suas: 90 °, deas bho phrìomh flat ± 5.0 °
11	Fad Flat Àrd-sgoile mm	8±1.7	11.2±1.5	18±2	22±2.5
12	TTV μm air a char as àirde	15	15	15	15
13	Bow μm aig a’ char as àirde	40	40	40	40
14	Warp μm aig a’ char as àirde	60	60	60	60
15	Edge Exclusion mm max	1	2	3	3
16	Dùmhlachd micropìoba cm-2	<5, tionnsgalach ;<15, lab;<50, dumhail
17	Dislocation cm-2	<3000, tionnsgalach;<20000, obair-lann;<500000, dùmhail
18	Roughness uachdar nm max	1 (Snasta), 0.5 (CMP)
19	Sgàinidhean	Chan eil gin, airson ìre gnìomhachais
20	Plataichean sia-thaobhach	Chan eil gin, airson ìre gnìomhachais
21	sgrìoban	≤3mm, fad iomlan nas lugha na trast-thomhas an t-substrate
22	Edge Chips	Chan eil gin, airson ìre gnìomhachais
23	pacadh	Soitheach wafer singilte air a seuladh ann am baga co-dhèanta alùmanum.

Silicon Carbide SiC 4H/6Htha wafer àrd-inbhe foirfe airson a bhith a’ saothrachadh mòran innealan dealanach adhartach luath, àrd-teòthachd & bholtadh àrd leithid Schottky diodes & SBD, tionndadh àrd-chumhachd MOSFETs & JFETs, msaa Tha e cuideachd na stuth ion-mhiannaichte anns an rannsachadh & leasachadh air transistors bipolar geata inslithe agus thyristors.Mar stuth leth-ghiùlain ginealach ùr air leth, tha wafer Silicon Carbide SiC cuideachd na inneal-sgaoilidh teas èifeachdach ann an co-phàirtean LED àrd-chumhachd, no mar substrate seasmhach agus mòr-chòrdte airson còmhdach GaN a tha a’ fàs airson sgrùdadh saidheansail cuimsichte san àm ri teachd.