Indium ogsaid

Tuairisgeul

Indium oxide Ann an₂O₃no indium trioxide 99.99%, 99.995%, 99.999% agus 99.9999%, micropowder no nanoparticle pùdar cruaidh aotrom-buidhe, CAS 1312-43-3, dùmhlachd 7.18g / cm³agus a 'leaghadh timcheall air 2000 °C, na stuth seasmhach coltach ri ceirmeag nach eil solubhail ann an uisge, ach soluble ann an searbhag neo-organach teth.Indium Oxide a-steach₂O₃na stuth gnìomh semiconductor n-seòrsa le resistivity nas lugha, gnìomhachd catalytic nas àirde agus beàrn bann farsaing airson tagraidhean optoelectronic. Indium Oxide a-steach₂O₃aig Western Minmetals (SC) Corporation faodar a lìbhrigeadh le purrachd de 99.99%, 99.995%, 99.999% agus 99.9999% ann am meud 2-10 micron no -100 pùdar mogaill agus ìre nano, 1kg pacaichte ann am botal polyethylene le poca plastaig seulaichte, no 1kg, 2kg 5kg ann am poca alùmanum measgaichte le bogsa carton taobh a-muigh, no mar shònrachaidhean gnàthaichte airson na fuasglaidhean foirfe.

Iarrtasan

Indium Oxide a-steach₂O₃air a chleachdadh gu farsaing ann an dealan-dealanach, sensor gas, faileasan fo-dhearg film tana, tagradh catalyst, cuir-ris dath glainne sònraichte, bataraidhean alcaileach, agus suidsichean is fiosan dealain àrd-sruth, còmhdach dìon de sgàthan meatailteach, agus airson film semiconductor de electro-optigeach taisbeanadh etc. Ann an₂O₃Is e am prìomh fheart airson targaid ITO airson taisbeanaidhean, uinneagan lùth-èifeachdach agus photovoltaics.A bharrachd air an sin, tha In₂O₃mar eileamaid resistive ann an ICn gus heterojunctions a chruthachadh le stuthan leithid p-InP, n-GaAs, n-Si agus semiconductors eile.Aig an aon àm, Le buaidh uachdar, meud beag agus buaidh tunail cuantamach macroscopic,Nano a-steach₂O₃gu sònraichte airson còmhdach optigeach agus antistatic, tagradh còmhdach giùlain follaiseach.

Fios a-nis

Mion-fhiosrachadh

Tagaichean

Sònrachadh Teicnigeach

In₂O₃

Coltas	Pùdar buidheach
Cuideam Molecular	277.63
Dùmhlachd	7.18 g / cm³
Rubha leaghaidh	2000 ° C
CAS Àir.	1312-43-2

Chan eil.	Nì		Sònrachadh Coitcheann
1	Purity In₂O₃≥		Impurity (Aithisg Deuchainn ICP-MS PPM Max each)
2	4N	99.99%	Cu/Al 20, Ti 3.0, Pb 4.0, Sn 7.0, Cd 8.0, Fe 15	Iomlan ≤100
	4N5	99.995%	Cu/Al/Cd/Sn/Ti/Ni/As/Zn 1.0, Si 2.0, Fe/Ca 5.0	Iomlan ≤50
	5N	99.999%	Cu/Pb/Cd/Fe/Ni 0.5, Ca/Sn/Ti 1.0	Iomlan ≤10
	6N	99.9999%	Ri fhaighinn ma thèid iarraidh	Iomlan ≤1.0
3	Meud		Pùdar 2-10μm airson purrachd 4N 5N5 5N, -100mesh pùdar airson purity 6N
4	pacadh		1kg ann am botal polyethylene le poca plastaig ròin a-muigh

Indium Oxide a-steach₂O₃ no Indium Trioxide In₂O₃aig Western Minmetals (SC) Corporation faodar a lìbhrigeadh le purrachd de 99.99%, 99.995%, 99.999% agus 99.9999% 4N 4N5 5N 6N ann am meud 2-10 micron no -100 mogaill pùdar agus nano ìre, 1kg pacadh ann am polyethylene botail poca plastaig seulaichte, an uairsin bogsa carton taobh a-muigh, no mar shònrachaidhean gnàthaichte airson na fuasglaidhean foirfe.

Indium Oxide a-steach₂O₃air a chleachdadh gu farsaing ann an dealan-dealanach, sensor gas, faileasan fo-dhearg film tana, tagradh catalyst, cuir-ris dath glainne sònraichte, bataraidhean alcaileach, agus suidsichean is fiosan dealain àrd-sruth, còmhdach dìon de sgàthan meatailteach, agus airson film semiconductor de electro-optigeach taisbeanadh etc. Ann an₂O₃Is e am prìomh fheart airson targaid ITO airson taisbeanaidhean, uinneagan lùth-èifeachdach agus photovoltaics.A bharrachd air an sin, tha In₂O₃mar eileamaid resistive ann an ICn gus heterojunctions a chruthachadh le stuthan leithid p-InP, n-GaAs, n-Si agus semiconductors eile.Aig an aon àm, Le buaidh uachdar, meud beag agus buaidh tunail cuantamach macroscopic, Nano In₂O₃gu sònraichte airson còmhdach optigeach agus antistatic, tagradh còmhdach giùlain follaiseach.