Gallium Phosphide GaP

Tuairisgeul

Tha Gallium Phosphide GaP, leth-chonnsair cudromach de fheartan dealain sònraichte mar stuthan toinnte III-V eile, a’ criostalachadh ann an structar ciùbach ZB a tha seasmhach gu thermodynamically, na stuth criostail semitransparent orains-buidhe le beàrn bann neo-dhìreach de 2.26 eV (300K), a tha air a cho-chur bho 6N 7N fìor-ghlan gallium agus fosfair, agus air fhàs gu bhith na chriostal singilte le innleachd Liquid Encapsulated Czochralski (LEC).Tha criostal Gallium Phosphide air a dhopadh le sulbhur no tellurium gus semiconductor n-seòrsa fhaighinn, agus sinc doped mar seoltachd seòrsa-p airson tuilleadh saothrachadh a-steach don wafer a tha thu ag iarraidh, aig a bheil tagraidhean ann an siostam optigeach, innealan dealanach agus optoelectronics eile.Faodar wafer Crystal GaP singilte ullachadh Epi-Ready airson an tagradh epitaxial LPE, MOCVD agus MBE agad.Faodar seòrsa p wafer Gallium phosphide GaP de chàileachd àrd, seòrsa n no giùlan gun chòmhdach aig Western Minmetals (SC) Corporation a thabhann ann am meud 2 ″ agus 3 ”(50mm, trast-thomhas 75mm), stiùireadh <100>, <111 > le crìoch uachdar de phròiseas mar-ghearradh, snasta no deiseil airson epi.

Iarrtasan

Le sruth ìosal agus àrd-èifeachdas ann an sgaoileadh solais, tha wafer GaP Gallium phosphide freagarrach airson siostaman taisbeanaidh optigeach mar diodes cosgais ìosal dearg, orains agus uaine (LEDs) agus backlight de LCD buidhe is uaine msaa agus saothrachadh chips LED le soilleireachd ìosal gu meadhanach, thathas cuideachd a’ gabhail ri GaP gu farsaing mar an t-substrate bunaiteach airson na mothachairean fo-dhearg agus saothrachadh camarathan sgrùdaidh.

Fios a-nis

Mion-fhiosrachadh

Tagaichean

Sònrachadh Teicnigeach

Gallium Phosphide GaP

Faodar wafer Gallium Phosphide GaP criostal singilte àrd-inbhe no seòrsa p substrate, seòrsa n no giùlan gun chòmhdach aig Western Minmetals (SC) Corporation a thabhann ann am meud 2 ″ agus 3 ”(50mm, 75mm) ann an trast-thomhas, stiùireadh <100> , <111> le crìoch uachdar air a ghearradh, air a chuartachadh, air a shnaidheadh, air a lìomhadh, air a ghiullachd le epi-deiseil ann an soitheach wafer singilte air a seuladh ann am baga co-dhèanta alùmanum no mar shònrachadh gnàthaichte don fhuasgladh foirfe.

Chan eil.	Nithean	Sònrachadh Coitcheann
1	Meud GaP	2"
2	Trast-thomhas mm	50,8 ± 0.5
3	Dòigh Fàs	LEC
4	Seòrsa giùlain	Seòrsa P / Zn-doped, N-seòrsa / (S, Si, Te) - doped, Gun doped
5	Treòrachadh	<1 1 1> ± 0.5°
6	Tighead μm	(300-400) ± 20
7	Resistivity Ω-cm	0.003-0.3
8	Treòrachadh Flat (OF) mm	16±1
9	Aithneachadh Flat (IF) mm	8±1
10	Gluasad talla cm2/Vs min	100
11	Meudachadh giùlain cm^-3	(2-20) E17
12	Dislocation Dùmhlachd cm^-2max	2.00E+05
13	Crìoch air uachdar	P/E, P/P
14	pacadh	Soitheach wafer singilte air a seuladh ann am baga co-dhèanta alùmanum, bogsa carton taobh a-muigh

Foirmle loidhneach	GaP
Cuideam Molecular	100.7
Structar criostail	Sinc measgachadh
Dealradh	Orange cruaidh
Rubha leaghaidh	Chan eil
Rubha Goil	Chan eil
Dùmhlachd aig 300K	4.14 g / cm³
Beàrn lùtha	2.26 eV
Seasmhachd gnèitheach	Chan eil
Àireamh CAS	12063-98-8
Àireamh EC	235-057-2

Wafer GaP Gallium Phosphide, le sruth ìosal agus àrd-èifeachdas ann an sgaoileadh solais, freagarrach airson siostaman taisbeanaidh optigeach mar diodes cosgais ìosal dearg, orains is uaine (LEDs) agus backlight de LCD buidhe is uaine msaa agus saothrachadh chips LED le ìosal gu meadhanach soilleireachd, thathas cuideachd a’ gabhail ri GaP gu farsaing mar an t-substrate bunaiteach airson na mothachairean fo-dhearg agus saothrachadh camarathan sgrùdaidh.