Indium Antimonide InSb

Tuairisgeul

Indium Antimonide InSb, semiconductor den bhuidheann III-V todhar criostalach le structar leaghan sinc-blende, air a cho-chur le 6N 7N fìor-ghlan Indium agus eileamaidean antimony, agus air fhàs criostal singilte le modh VGF no dòigh Liquid Encapsulated Czochralski LEC bho ingot polycrystalline ath-leasaichte ioma-sòn, a ghabhas a sgoltadh agus a dhèanamh ann an wafer agus bloc às deidh sin.Tha InSb na semiconductor gluasaid dìreach le beàrn bann cumhang de 0.17eV aig teòthachd an t-seòmair, cugallachd àrd gu tonn-tonn 1–5μm agus gluasad talla ultra àrd.Faodar Indium Antimonide InSb n-seòrsa, seòrsa p agus giùlan leth-insulation aig Western Minmetals (SC) Corporation a thabhann ann am meud 1 ″ 2 ″ 3 ″ agus 4 ”(30mm, 50mm, 75mm, 100mm) trast-thomhas, stiùireadh < 111> no <100>, agus le crìoch uachdar wafer air a ghearradh, air a chuartachadh, air a shnaidheadh agus air a lìomhadh.Tha targaid Indium Antimonide InSb de Dia.50-80mm le seòrsa n gun dopadh ri fhaighinn cuideachd.Aig an aon àm, polycrystalline indium antimonide InSb (multicrystal InSb) le meud cnap neo-riaghailteach, no bàn (15-40) x (40-80) mm, agus bàr cruinn de D30-80mm cuideachd air an gnàthachadh ma thèid an iarraidh chun fhuasgladh foirfe.

Iarrtas

Tha Indium Antimonide InSb na aon substrate air leth freagarrach airson a bhith a’ dèanamh mòran de cho-phàirtean agus innealan ùr-nodha, leithid fuasgladh ìomhaighean teirmeach adhartach, siostam FLIR, eileamaid talla agus eileamaid buaidh magnetoresistance, siostam stiùiridh urchraichean homing infridhearg, sensor photodetector infridhearg làn-fhreagairt. , sensor resistivity magnetach agus rothlach àrd-chruinneas, arrays planar fòcas, agus cuideachd air an atharrachadh mar stòr rèididheachd terahertz agus ann an teileasgop fànais speurail infridhearg msaa.

Fios a-nis

Mion-fhiosrachadh

Tagaichean

Sònrachadh Teicnigeach

Indium Antimonide

InSb

Substrate Antimonide Indium(InSb Substrate, InSb Wafer) n-seòrsa no p-seòrsa aig Western Minmetals (SC) Corporation faodar a thabhann ann am meud 1" 2 "3" agus 4" (30, 50, 75 agus 100mm) trast-thomhas, stiùireadh <111> no <100>, agus le uachdar wafer de chrìochnaidhean sìnte, eitseil, snasta Faodar bàr Indium Antimonide Single Crystal (bàr InSb Monocrystal) a thoirt seachad cuideachd ma thèid iarraidh.

Indium AntimonidePolycrystalline (InSb Polycrystalline, no multicrystal InSb) le meud cnap neo-riaghailteach, no bàn (15-40) x (40-80) mm cuideachd air an gnàthachadh ma thèid an iarraidh chun fhuasgladh foirfe.

Aig an aon àm, tha Targaid Indium Antimonide (Targaid InSb) de Dia.50-80mm le seòrsa n gun dop ri fhaighinn cuideachd.

Chan eil.	Nithean	Sònrachadh Coitcheann
1	Substrate Antimonide Indium	2"	3"	4"
2	Trast-thomhas mm	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	Dòigh Fàs	LEC	LEC	LEC
4	Giùlan	Seòrsa P/Zn, Ge doped, N-seòrsa/Te-doped, Gun doped
5	Treòrachadh	(100) ±0.5°, (111) ±0.5°
6	Tighead μm	500±25	600±25	800±25
7	Treòrachadh Flat mm	16±2	22±1	32.5±1
8	Aithneachadh Flat mm	8±1	11±1	18±1
9	Gluasad cm2/Vs	1-7E5 N/gun dopadh, 3E5-2E4 N/Te-doped, 8-0.6E3 no ≤8E13 P/Ge-doped
10	Tùsachadh giùlan cm-3	6E13-3E14 N/gun dopadh, 3E14-2E18 N/Te-doped, 1E14-9E17 neo <1E14 P/Ge-doped
11	TTV μm air a char as àirde	15	15	15
12	Bow μm aig a’ char as àirde	15	15	15
13	Warp μm aig a’ char as àirde	20	20	20
14	Dùmhlachd dislocation cm-2 max	50	50	50
15	Crìoch air uachdar	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	pacadh	Soitheach wafer singilte air a seuladh ann am baga alùmanum.

Chan eil.	Nithean	Sònrachadh Coitcheann
Chan eil.	Nithean	Indium Antimonide Polycrystalline	Targaid Indium Antimonide
1	Giùlan	Gun dùblachadh	Gun dùblachadh
2	Meudachadh giùlain cm^-3	6E13-3E14	1.9-2.1E16
3	Gluasad cm²/Vs	5-7E5	6.9-7.9E4
4	Meud	15-40x40-80 mm	D (50-80) mm
5	pacadh	Ann am baga alùmanum measgaichte, bogsa carton taobh a-muigh

Foirmle loidhneach	InSb
Cuideam Molecular	236.58
Structar criostail	Sinc measgachadh
Coltas	Criostalan meatailte dorcha glas
Rubha leaghaidh	527 °C
Rubha Goil	Chan eil
Dùmhlachd aig 300K	5.78 g / cm³
Beàrn lùtha	0.17 eV
Seasmhachd gnèitheach	4E(-3) Ω-cm
Àireamh CAS	1312-41-0
Àireamh EC	215-192-3

Indium Antimonide InSbTha wafer mar aon substrate air leth freagarrach airson a bhith a’ dèanamh mòran de cho-phàirtean agus innealan ùr-nodha, leithid fuasgladh ìomhaighean teirmeach adhartach, siostam FLIR, eileamaid talla agus eileamaid buaidh magnetoresistance, siostam treòrachaidh urchraichean homing infridhearg, sensor photodetector infridhearg làn-fhreagarrach, àrd -Precision magnetach agus mothachaidh resistivity rothlach, arrays planar fòcas, agus cuideachd air atharrachadh mar stòr rèididheachd terahertz agus ann an teileasgop fànais speurail infridhearg msaa.