CZ Silicon Wafer

Tuairisgeul

CZ Singilte Crystal Silicon Wafer air a sgoltadh bho ingot silicon criostail singilte air a shlaodadh le dòigh fàis Czochralski CZ, a tha air a chleachdadh as fharsainge airson fàs criostail silicon de ingotan siolandair mòr a thathas a’ cleachdadh anns a ’ghnìomhachas dealanach gus innealan semiconductor a dhèanamh.Anns a ’phròiseas seo, tha sìol caol de silicon criostail le fulangas treòrachaidh mionaideach air a thoirt a-steach don amar leaghte de silicon aig a bheil smachd mionaideach air an teòthachd.Tha an criostal sìl air a shlaodadh gu slaodach suas bhon leaghadh aig ìre gu math fo smachd, bidh daingneachadh criostalach dadaman bho ìre leaghaidh a’ tachairt aig eadar-aghaidh, tha an criostal sìl agus an t-seogag air an cuairteachadh ann an taobh eile tron phròiseas tarraing air ais seo, a’ cruthachadh aonad mòr singilte. silicon criostail le structar criostalach foirfe an t-sìl.

Taing don raon magnetach a chaidh a chuir an sàs ann an tarraing ingot àbhaisteach CZ, tha silicon criostail singilte Czochralski MCZ air a bhrosnachadh le raon magnetach le dùmhlachd neo-chunbhalachd gu ìre nas ìsle, ìre ocsaidean nas ìsle agus gluasad, agus eadar-dhealachadh resistivity èideadh a bhios a ’coileanadh gu math ann an co-phàirtean agus innealan dealanach àrd-theicneòlas. saothrachadh ann an gnìomhachasan dealanach no photovoltaic.

Lìbhrigeadh

Faodar giùlan CZ no MCZ Single Crystal Silicon Wafer n-seòrsa agus seòrsa p aig Western Minmetals (SC) Corporation a lìbhrigeadh ann am meud 2, 3, 4, 6, 8 agus 12 òirleach trast-thomhas (50, 75, 100, 125, 150, 200 agus 300mm), stiùireadh <100>, <110>, <111> le crìoch uachdar air a chòmhdach, air a shnaidheadh agus air a lìomhadh ann am pasgan de bhogsa foam no cassette le bogsa carton taobh a-muigh.

Fios a-nis

Mion-fhiosrachadh

Tagaichean

Sònrachadh Teicnigeach

CZ Silicon Wafer

CZ Singilte Crystal Silicon Wafer Is e an stuth bunaiteach ann a bhith a’ dèanamh chuairtean amalaichte, diodes, transistors, co-phàirtean air leth, air an cleachdadh anns a h-uile seòrsa de uidheamachd dealanach agus innealan semiconductor, a bharrachd air substrate ann an giullachd epitaxial, substrate wafer SOI no saothrachadh wafer todhar leth-insulation, gu sònraichte mòr Tha trast-thomhas de 200mm, 250mm agus 300mm nas fheàrr airson a bhith a’ saothrachadh innealan fìor-amalaichte.Tha Crystal Silicon Singilte cuideachd air a chleachdadh airson ceallan grèine ann am meudan mòra leis a’ ghnìomhachas photovoltaic, a bheir an structar criostail cha mhòr foirfe an èifeachdas tionndaidh solais-gu-dealan as àirde.

Chan eil.	Nithean	Sònrachadh Coitcheann
1	Meud	2"	3"	4"	6"	8"	12"
2	Trast-thomhas mm	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.5	150±0.5	200±0.5	300±0.5
3	Giùlan	P no N no gun dopadh
4	Treòrachadh	<100>, <110>, <111>
5	Tighead μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 no mar a dh’ fheumar
6	Resistivity Ω-cm	≤0.005, 0.005-1, 1-10, 10-20, 20-100, 100-300 etc
7	RRV air a char as àirde	8%, 10%, 12%
8	Bun-flat / Fad mm	Mar ìre SEMI no mar a dh ’fheumar
9	Flat Àrd-sgoile / Fad mm	Mar ìre SEMI no mar a dh ’fheumar
10	TTV μm air a char as àirde	10	10	10	10	10	10
11	Bow & Warp μm aig a’ char as àirde	30	30	30	30	30	30
12	Crìoch air uachdar	As-ghearradh, L/L, P/E, P/P
13	pacadh	Bogsa foam no cassette a-staigh, bogsa carton taobh a-muigh.

samhladh	Si
Àireamh Atamach	14
Cuideam Atamach	28.09
Roinn-seòrsa Element	Meatailt
Buidheann, ùine, bacadh	14, 3, p
Structar criostail	Daoimean
Dath	Liath dorcha
Rubha leaghaidh	1414°C, 1687.15K
Rubha Goil	3265°C, 3538.15K
Dùmhlachd aig 300K	2.329 g / cm³
Seasmhachd gnèitheach	3.2E5 Ω-cm
Àireamh CAS	7440-21-3
Àireamh EC	231-130-8

CZ no MCZ Singilte Crystal Silicon WaferFaodar giùlan seòrsa n agus seòrsa p aig Western Minmetals (SC) Corporation a lìbhrigeadh ann am meud 2, 3, 4, 6, 8 agus 12 òirleach trast-thomhas (50, 75, 100, 125, 150, 200 agus 300mm), stiùireadh <100>, <110>, <111> le crìochnachadh uachdar air a ghearradh, air a chuartachadh, air a shnaidheadh agus air a lìomhadh ann am pasgan de bhogsa foam no cassette le bogsa carton taobh a-muigh.